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三星的新型闪存写入速度是原来的两倍

发布时间：2023-12-22 13:20 点击率：208次手机版

三星开发了它声称是业界性能最高的通用闪存(UFS)。它被称为UFS4.0，其速度是上一代产品的两倍，读取速度高达4,200MB/s，写入速度高达2,800MB/s。

UFS4.0不仅比上一代更快，而且三星还表示它消耗的电量也更少。因此，该公司表示，它将作为未来移动存储解决方案的核心，将对智能手机性能产生巨大影响，也可能对增强现实(AR)和虚拟现实(VR)硬件产生重大影响。

三星表示，UFS4.0采用紧凑型封装，仅占用11毫米x13毫米x1毫米的空间，可支持高达1TB的容量。这1TB可以提供每mA6MB/s的顺序读取速度，这比上一代的功耗提高了46%。

“UFS4.0提供每通道高达23.2Gbps的速度，是之前的UFS3.1的两倍，”三星表示。“这么大的带宽非常适合需要大量数据处理的5G智能手机，预计未来的汽车应用、AR和VR也将采用这种带宽。”

速度表现也非常出色，连续读取速度高达4,200MB/s，顺序写入速度高达2,800MB/s。上一代UFS3.1能够承诺高达1,200MB/s的写入速度。将上一代的速度提高一倍以上，同时使用近一半的功率可能会对设备性能产生显着的积极影响。

UFS4.0标准规范已获得固态技术协会JEDEC的批准，该协会是一个独立的半导体工程贸易组织和标准化机构。三星表示，UFS4.0存储的量产计划于2022年第三季度开始，并补充说，它正在与来自世界各地的智能手机和消费设备制造商合作，并正在“大力”创建一个支持UFS4.0的生态系统使在市场上的采用更容易和更快。

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