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三星开始为旗舰智能手机量产最快的存储

发布时间：2024-06-17 09:01 点击率：127次 手机版

三星开始为旗舰智能手机量产最快的存储

先进内存技术的全球领导者三星电子今天宣布，它已开始量产业界首款用于旗舰智能手机的512GBeUFS(嵌入式通用闪存)3.1。三星全新eUFS3.1的写入速度是之前512GBeUFS3.0移动内存的三倍，打破了智能手机存储中1GB/s的性能门槛。

三星电子内存销售与营销执行副总裁CheolChoi表示：随着我们推出最快的移动存储，智能手机用户将不再需要担心传统存储卡面临的瓶颈。新的eUFS3.1反映了我们对支持今年全球智能手机制造商快速增长的需求的持续承诺。

三星512GBeUFS3.1连续写入速度超过1,200MB/s，是基于SATA的PC(540MB/s)的两倍多，是UHS-ImicroSD卡速度(90MB/s)的十倍以上)。这意味着消费者在智能手机中存储8K视频或数百张大尺寸照片等海量文件时，可以享受超薄笔记本电脑的速度，无需任何缓冲。将内容从旧手机传输到新设备也需要更少的时间。配备新eUFS3.1的手机移动100GB数据只需要大约1.5分钟，而基于UFS3.0的手机需要四分钟以上。

在随机性能方面，512GBeUFS3.1的处理速度比广泛使用的UFS3.0版本快60%，提供每秒100,000次读取输入/输出操作(IOPS)和70,000次写入IOPS。

除了512GB选项外，三星还将为旗舰智能手机提供256GB和128GB容量。

三星本月开始在其新的中国西安生产线(X2)上批量生产第五代V-NAND，以充分满足整个旗舰和高端智能手机市场的存储需求。该公司很快计划将其韩国平泽线(P1)的V-NAND量产从第五代转变为第六代V-NAND，以更好地满足不断增长的需求。

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