三星推出采用HKMG工艺技术的512GBDDR5模块

发布时间：2024-07-06 13:43 点击率：104次手机版

全球最大的存储芯片制造商之一的三星电子(SamsungElectronics)宣布推出基于High-KMetalGate(HKMG)工艺技术的512GBDDR5模块。它以高达7200Mbps的速度提供DDR4的性能速度的两倍，专为超级计算，人工智能等高带宽应用而设计。

由于使用了传统上用于逻辑半导体的HKMG技术，三星新型DDR5模块的功耗降低了约13%，同时性能得到了提升。它利用硅通孔(TSV)技术，堆叠八层16GbDRAM芯片，总容量为512GB。

三星目前正在向数据分析，机器学习，人工智能和超级计算领域的各种客户提供这些新的DDR5模块的样品。

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