先进内存技术的全球领导者三星电子今天宣布,它已开始量产业界首款用于下一代移动设备的512GB嵌入式通用闪存(eUFS)3.0。符合最新的eUFS3.0规范,新的三星内存提供两倍于之前eUFS存储(eUFS2.1)的速度,使移动内存能够支持未来具有超大高分辨率屏幕的智能手机的无缝用户体验。
开始批量生产我们的eUFS3.0系列产品为我们在下一代移动市场带来了巨大的优势,我们正在为该市场带来以前仅在超薄笔记本电脑上才有的内存读取速度,执行副总裁CheolChoi说。三星电子的内存销售和营销。随着我们扩展eUFS3.0产品,包括今年晚些时候推出1TB版本,我们预计将在加速高端移动市场的发展势头方面发挥重要作用。
三星于2015年1月生产了业界首款采用eUFS2.0的UFS接口,比当时的移动内存标准快1.4倍,简称为嵌入式多媒体卡(eMMC)5.1。在短短四年内,该公司最新的eUFS3.0与当今超薄笔记本电脑的性能相匹配。
三星的512GBeUFS3.0堆叠了该公司第五代512-gigabit(Gb)V-NAND芯片中的八个,并集成了一个高性能控制器。新的eUFS以每秒2,100兆字节(MB/s)的速度将三星最新的eUFS内存(eUFS2.1)的顺序读取速率提高了一倍,该内存于1月份发布。新解决方案的惊人读取速度比SATA固态硬盘(SSD)快四倍,比典型microSD卡快20倍,让高端智能手机能够在大约三秒内将全高清电影传输到PC*。此外,顺序写入速度也提升了50%,达到410MB/s,与SATASSD相当。
与当前的eUFS2.1行业规范相比,新内存的随机读取和写入速度分别提高了36%,分别为每秒63,000次和68,000次输入/输出操作(IOPS)。凭借比普通microSD卡(100IOPS)快630倍以上的随机读写显着提升,可以同时运行多个复杂应用程序,同时实现增强的响应能力,尤其是在最新一代移动设备上。
继本月推出512GBeUFS3.0和128GB版本之后,三星计划在下半年生产1TB和256GB型号,以进一步帮助全球设备制造商更好地提供未来的移动创新。